封装/外壳:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A...
1 56 加入询价
MTP12P10G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 12A...
1 2,000 加入询价
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