- 品牌:
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- ON Semiconductor (9)
- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 189 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 707 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 976 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 107 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 121 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 4,945 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,496 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 53 M... |
1 | 300 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 7 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SUPERFET3 FRFET A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SUPERFER3 FRFET A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |