- 品牌：
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- ON Semiconductor (18)
- Littelfuse (6)
- Microsemi (1)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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38 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 189 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 300V 38A... |
1 | 818 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 707 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 976 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 107 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.... |
1 | 121 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 4,945 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 300V 38A... |
1 | 232 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 8A... |
1 | 192 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,496 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 53 M... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 213 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 30.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 30.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 220A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SUPERFET3 FRFET A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
