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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
100 V
(1)
40 V
(1)
60 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
32A(Tc)
(1)
50A(Tc)
(1)
77A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
14.8 毫欧 @ 15A,10V
(1)
34.5 毫欧 @ 15A,10V
(1)
7.6 毫欧 @ 25A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
20.9 nC @ 10 V
(1)
21 nC @ 10 V
(1)
23.8 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1201 pF @ 50 V
(1)
1220 pF @ 30 V
(1)
1262 pF @ 12 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
功率耗散(最大值) : 86W(Tc)
供应商器件封装 : TO-220AB
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMN015-60PS,127
Nexperia
MOSFET N-CH 60V 50A...
1
4,603
加入询价
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia
MOSFET N-CH 40V 77A...
1
113
加入询价
PSMN034-100PS,127
Nexperia
MOSFET N-CH 100V 32A...
1
10
加入询价
PSMN015-60PS,127
Nexperia
-
库存 : 4,603
询价
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia
-
库存 : 113
询价
PSMN034-100PS,127
Nexperia
-
库存 : 10
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