- 品牌：
-
- PANJIT (1)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 286 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | 650V N-CHANNEL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
