- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 60V 195A... |
1 | 15,167 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 300A... |
1 | 12,773 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A... |
1 | 2,297 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 195A... |
1 | 623 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A... |
1 | 10,286 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 2,913 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 180A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 250A... |
1 | 8,768 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A... |
1 | 2,135 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 1,545 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 200A... |
1 | 1,999 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A... |
1 | 575 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 43 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 160... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 160... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH 60V 240A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 300... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 300A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
