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FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
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单 FET,MOSFET
功率耗散(最大值) : 390W(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) : 10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 300 nC @ 10 V
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APTM120DA56T1G
Microsemi
MOSFET N-CH 1200V 18...
1
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APTM120SK56T1G
Microsemi
MOSFET N-CH 1200V 18...
1
2,000
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APTM120DA56T1G
Microsemi
-
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APTM120SK56T1G
Microsemi
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库存 : 2,000
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