- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 52,093 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 18,790 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5... |
1 | 7,542 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.1... |
1 | 2,397 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<52M@-10V... |
1 | 7,604 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<10M@-10V... |
1 | 5,985 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5... |
1 | 797 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.7A... |
1 | 939 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
