- 品牌：
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- ON Semiconductor (3)
- Microsemi (1)
- PANJIT (2)
- Transphorm (2)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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52 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 171 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 910 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 900 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 11,930 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 182 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 420A... |
1 | 586 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 3,016 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 12A... |
1 | 1,109 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11.... |
1 | 4,076 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 3,596 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 191 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 700V 12A... |
1 | 165 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 300A... |
1 | 281 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 150A,RD<4.8M@10V... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 960 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
