FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G26P04D5 Goford Semiconductor
P40V,RD(MAX)<18M@-10V...
1 12,763 加入询价
G300P06D5 Goford Semiconductor
P-60V,-40A,RD(MAX)<30M...
1 4,937 加入询价
G100N03D5 Goford Semiconductor
N-CH, 30V, 100A, RD(MA...
1 4,895 加入询价
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