- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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10 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A... |
1 | 109,120 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 12,763 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-40A,RD(MAX)<30M... |
1 | 4,937 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 30V, 100A, RD(MA... |
1 | 4,895 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC80N04S6L032ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IAUC80N04S6N036ATMA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
