- 品牌：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 已选条件：
4 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SICFET N-CH 1200V 36... |
1 | 154 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 536 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 3300V 50M TO-247-4 SIC ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 112... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
