- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (2)
- EPC (3)
- YANGJIE (2)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
- 已选条件：
47 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET N-CH 40V 29A... |
1 | 19,793 | 加入询价 | |
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EPC | GAN FET 80V .0036OHM... |
1 | 8,142 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | -20V, -6.5A, SINGLE P... |
1 | 14,937 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 15V 3.4A... |
1 | 46,740 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 33,327 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 26,930 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 20V 600M... |
1 | 124,322 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SICFET N-CH 1200V 36... |
1 | 154 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 9,700 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 1,979 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 37A... |
1 | 2,907 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.3A... |
1 | 7,332 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 8,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 8,379 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 30A... |
1 | 2,060 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 536 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A... |
1 | 116 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 46A... |
1 | 30 | 加入询价 |
