漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
1 1,000 加入询价
IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A...
1 2,000 加入询价
IPB26CN10NGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A...
1 2,000 加入询价
IPB26CNE8N G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A...
1 2,000 加入询价
AUIRFS3806TRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A...
1 2,000 加入询价
AUIRFS3806 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A...
1 2,000 加入询价
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