- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5.5A... |
1 | 6,356 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<850M@10V... |
1 | 5,894 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<150M@10V... |
1 | 7,648 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N100V, 2.5A,RD<220M@10V... |
1 | 699 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N100V, 5A,RD<130M@10V,V... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
