FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQ2303ES-T1_BE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A...
1 1,278 加入询价
G7P03L Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<23M@-10V...
1 6,677 加入询价
SQ2303ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A...
1 53 加入询价
PMV40UN,215 NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 30V 4.9A...
1 2,000 加入询价
PMV30UN,215 NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 20V 5.7A...
1 2,000 加入询价
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