- 品牌:
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- Nexperia (7)
- ON Semiconductor (1)
- Littelfuse (1)
- UnitedSiC (1)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
18 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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UnitedSiC | 650V/40MOHM, SIC, ST... |
1 | 8,657 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | NCH 800V 8A POWER M... |
1 | 990 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 100V 69A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 80V 89A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 100V 69A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 3000V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW PG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 100V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |