- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- Littelfuse (6)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 55A... |
1 | 1,976 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 1,845 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 107 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.... |
1 | 986 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 500V |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | E SERIES POWER MO... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | EF SERIES POWER M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 |
