漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300M...
1 202,964 加入询价
BSS123LT1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BVSS123LT1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123TA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123TC Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123LT3 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS123LT3G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
2N7002L6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300M...
1 2,000 加入询价
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