供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
PMZ370UNEYL Nexperia
MOSFET N-CH 30V 900M...
1 10,000 加入询价
BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330M...
1 2,000 加入询价
BSS119E6327 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS83PE6327 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330M...
1 2,000 加入询价
BSS119 E6433 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS119 E7796 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS119 E7978 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
BSS83PL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330M...
1 2,000 加入询价
BSS119L6433HTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170...
1 2,000 加入询价
PMZB370UNE,315 Nexperia
MOSFET N-CH 30V 900M...
1 2,000 加入询价
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