- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Nexperia | MOSFET N-CH 55V 210M... |
1 | 116,651 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 60V, 0.24A, SINGLE N-... |
1 | 5,175 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | P-CHANNEL ENHANC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 60V, 0.24A, SINGLE N-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 60V 0.34... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
