漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIHB30N60E-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A...
1 956 加入询价
SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 600V
1 536 加入询价
STB45N40DM2AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A...
1 2,000 加入询价
STB45N50DM2AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 35A...
1 2,000 加入询价
SIHB30N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 600V
1 2,000 加入询价
SIHB30N60E-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A...
1 2,000 加入询价
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