漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 18A...
1 7,475 加入询价
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 17A...
1 1,940 加入询价
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 4.2...
1 1,990 加入询价
DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 4.2...
1 2,000 加入询价
DMG7N65SCT Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 7.7...
1 2,000 加入询价
DMG7N65SCTI Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 7.7...
1 2,000 加入询价
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