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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
20 V
(2)
50 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
350mA(Ta)
(1)
600mA(Ta)
(2)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
(1)
1.2V,4.5V
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
2.8 欧姆 @ 200mA,4.5V
(1)
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
(2)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
900mV @ 250µA
(1)
950mV @ 250µA
(2)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
21.3 pF @ 10 V
(2)
29 pF @ 25 V
(1)
功率耗散(最大值):
350mW(Ta),2.8W(Tc)
(1)
360mW(Ta),2.7W(Tc)
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
FET 功能 : -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.7 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 : SOT-883
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMZ600UNEYL
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 600M...
1
29,222
加入询价
NX5008NBKMYL
Nexperia
MOSFET N-CH 50V 350M...
1
35,695
加入询价
PMZ600UNEZ
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 600M...
1
2,000
加入询价
PMZ600UNEYL
Nexperia
-
库存 : 29,222
询价
NX5008NBKMYL
Nexperia
-
库存 : 35,695
询价
PMZ600UNEZ
Nexperia
-
库存 : 2,000
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