供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10A...
1 125,490 加入询价
RQ6E045BNTCR ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.5A...
1 29 加入询价
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