供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V~...
1 66,882 加入询价
SI3442BDV-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3A ...
1 33,718 加入询价
SI3442BDV-T1-BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 2.5-V (G-S...
1 1,617 加入询价
DMN3028L-13 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V~...
1 2,000 加入询价
DMN3028LQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V~...
1 2,000 加入询价
DMN3028L-7 Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V~...
1 2,000 加入询价
SI3442BDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3A ...
1 2,000 加入询价
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