- 品牌：
-
- Texas Instruments (14)
- Diodes Incorporated (27)
- Nexperia (4)
- ON Semiconductor (32)
- Goford Semiconductor (12)
- Vishay / Siliconix (78)
- YANGJIE (1)
- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
283 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 45.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<4.5M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<6M@10V,R... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 6,146 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | |
|
|
YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 4.1A... |
1 | 2,578 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 194A... |
1 | 338 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 110A... |
1 | 686 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A ... |
1 | 574 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 38.3... |
1 | 684 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 185 | 加入询价 | |
|
|
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 124A... |
1 | 557 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V, 90A,RD<12M@10V,V... |
1 | 800 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
