- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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6 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1700V 3.... |
1 | 342 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 9A... |
1 | 378 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 9A... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 10A, THD, SILI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 10A, THD, SILI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
