安装类型:
封装/外壳:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G170P03D3 Goford Semiconductor
P-30V, -20A,RD<18M@-10V...
1 5,000 加入询价
G10P03 Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V...
1 4,940 加入询价
G350P02LLE Goford Semiconductor
P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8....
1 3,000 加入询价
G1K1P06LL Goford Semiconductor
P-60V,-4A,RD(MAX)<110M...
1 3,000 加入询价
G170P02D2 Goford Semiconductor
P-20V,-16A,RD(MAX)<17M...
1 3,000 加入询价
6706A Goford Semiconductor
N/P30V,6.5A/-5A,RD(MA...
1 4,000 加入询价
G12P06K Goford Semiconductor
P-60V,-12A,RD(MAX)<75M...
1 2,500 加入询价
GT700P08S Goford Semiconductor
P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72...
1 4,000 加入询价
G230P06S Goford Semiconductor
P-60V,-8A,RD(MAX)<23M...
1 4,000 加入询价
G050P03S Goford Semiconductor
P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5...
1 4,000 加入询价
G050P03K Goford Semiconductor
P-30V,-85A,RD(MAX)<4.5...
1 2,500 加入询价
G12P10TE Goford Semiconductor
P-100V,-12A,RD(MAX)<20...
1 2,000 加入询价
GT025N06AD5 Goford Semiconductor
N60V, 170A, RD<2.2M@10V...
1 5,000 加入询价
G60N06T Goford Semiconductor
N60V, 50A,RD<17M@10V,V...
1 2,000 加入询价
GT080N10M Goford Semiconductor
N100V, 70A,RD<7.5M@10V,...
1 800 加入询价
G230P06T Goford Semiconductor
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M...
1 2,000 加入询价
G050P03T Goford Semiconductor
P-30V,-85A,RD(MAX)<5M...
1 2,000 加入询价
GT065P06T Goford Semiconductor
P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5...
1 2,000 加入询价
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