- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
