- 品牌：
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- ON Semiconductor (3)
- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N100V, 75A,RD<8M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 12A... |
1 | 1,109 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 3,596 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 70A,RD<8M@10V,V... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 75V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 75V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 75V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
