供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT100N12T Goford Semiconductor
N120V,RD(MAX)<10M@10V...
1 208 加入询价
GT100N12M Goford Semiconductor
N120V,RD(MAX)<10M@10V...
1 798 加入询价
GT013N04TI Goford Semiconductor
N40V, 220A,RD<2.5M@10V,...
1 50 加入询价
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