供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN3032LE-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A...
1 253,875 加入询价
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A ...
1 9,450 加入询价
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