- 品牌：
-
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (4)
- Panasonic (1)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
33 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 187,295 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 3.9A... |
1 | 63,032 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET PCH 2... |
1 | 7,569 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,728 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET P-CH 12V 3.9A... |
1 | 7,890 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A... |
1 | 1,683 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 20-V (D-S... |
1 | 555 | 加入询价 | |
|
|
Panasonic | MOSFET N-CH 12V 3.9A... |
1 | 972 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
