漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A...
1 52,359 加入询价
BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A...
1 69,091 加入询价
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A...
1 1,550 加入询价
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