漏源电压(Vdss):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
2SK2866(F) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET N-CH 600V 10A...
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PJP10NA65_T0_00001 PANJIT
650V N-CHANNEL MOS...
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PJP10NA80_T0_00001 PANJIT
800V N-CHANNEL MOS...
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PJP10NA60_T0_00001 PANJIT
600V N-CHANNEL MOS...
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