供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G7K2N20HE Goford Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD<0.7@1...
1 2,500 加入询价
G2002A Goford Semiconductor
N200V, 2A,RD<540M@10V,V...
1 2,946 加入询价
G2K3N10H Goford Semiconductor
MOSFET, N-CH,100V, 2...
1 2,400 加入询价
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