- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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37 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 17,297 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V PG-TD... |
1 | 17,821 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 31A... |
1 | 70,384 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 6,875 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 7,660 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A... |
1 | 4,460 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 40V 5.8M OPTIMOS MO... |
1 | 9,970 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11A... |
1 | 4,882 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 33A... |
1 | 2,503 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 983 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 40V 3.6M OPTIMOS MO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V PG-TD... |
1 | 8 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
