- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 821 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 430 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 760 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 48 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 8.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 60... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 8.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRANS SJT N-CH 1200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | SIC MOSFET 1700 V 28... |
1 | 2,000 | 加入询价 |