- 工作温度：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
70 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 216 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 69A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | 650V COOLMOS CFD7A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 209... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 43.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | 650 V COOLMOS CFD7 ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
