- 品牌：
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- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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208 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 41... |
1 | 1,688 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/23MOHM, SIC, CA... |
1 | 580 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 71... |
1 | 942 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 750V 81A... |
1 | 1,503 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 3,110 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 90... |
1 | 2,163 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 721 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 763 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 61... |
1 | 1,086 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 12... |
1 | 781 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 750V/9MOHM, SIC, STA... |
1 | 581 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 747 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 1,899 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 1200V 12M TO-247-4 G3R S... |
1 | 701 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 120... |
1 | 2,649 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 12... |
1 | 1,388 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 12... |
1 | 497 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V TO2... |
1 | 187 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 18... |
1 | 643 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 750V 28A... |
1 | 1,997 | 加入询价 |
