- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (106)
- Nexperia (4)
- ON Semiconductor (5)
- STMicroelectronics (71)
- ROHM Semiconductor (98)
- UnitedSiC (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
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344 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 1,411 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 17... |
1 | 1,997 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 30A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 3,293 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 6,812 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 55... |
1 | 1,635 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 95... |
1 | 356 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 93A... |
1 | 2,199 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 72... |
1 | 994 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 118... |
1 | 754 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 12A... |
1 | 55,061 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 8,442 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 3,059 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 903 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 578 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 55... |
1 | 891 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 72... |
1 | 714 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 48A... |
1 | 36,965 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 7A... |
1 | 3,554 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET P-CH 60V 15A... |
1 | 21,552 | 加入询价 |
