漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD16327Q3T Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A...
1 2,298 加入询价
CSD18514Q5A Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 89A...
1 2,217 加入询价
CSD18514Q5AT Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 89A...
1 1,002 加入询价
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