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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 已选条件：
754 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 7,764 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 5,105 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 1,730 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 3,110 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 9,080 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 6,945 | 加入询价 | |
|
|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | |
|
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 637 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 393 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 15,892 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 13,504 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 |
