供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT045N10T Goford Semiconductor
N100V, 150A,RD<4.8M@10V...
1 30 加入询价
GT045N10M Goford Semiconductor
N100V, 120A,RD<4.5M@10V...
1 779 加入询价
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