- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
1,160 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 1,411 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 17... |
1 | 1,997 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 30A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 31... |
1 | 3,293 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 6,812 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 55... |
1 | 1,635 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 95... |
1 | 356 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 93A... |
1 | 2,199 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 72... |
1 | 994 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 118... |
1 | 754 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 200M... |
1 | 2,030,007 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 1,331,637 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 752,753 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 100M... |
1 | 883,425 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 200M... |
1 | 1,041,689 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 988,375 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 100M... |
1 | 110,365 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 837,018 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1A ... |
1 | 61,917 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 150M... |
1 | 200,607 | 加入询价 |
