- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
7,220 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 202,964 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A... |
1 | 117,411 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A... |
1 | 163,501 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A... |
1 | 47,195 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 62,395 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.1A... |
1 | 5,748 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.4A... |
1 | 262,199 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 300M... |
1 | 16,544 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 83,039 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190... |
1 | 5,326 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A... |
1 | 356,204 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A... |
1 | 68,233 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 780M... |
1 | 290,046 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 760M... |
1 | 193,821 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.3A... |
1 | 490,088 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
1 | 273,811 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 3.6A... |
1 | 25,079 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6... |
1 | 119,881 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.9A... |
1 | 84,954 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A... |
1 | 31,039 | 加入询价 |
