- 安装类型:
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- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
205 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | P100V,RD(MAX)<200M@-10... |
1 | 4,625 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-60V, -20A,RD<45M@-10V... |
1 | 2,521 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-150V,-2.2A,RD(MAX)<3... |
1 | 3,998 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<17M@10V,... |
1 | 3,812 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 5,279 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<10M@-10V... |
1 | 5,985 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<45M@-10V... |
1 | 4,450 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N190V, 3A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,439 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 10,694 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N200V, 2A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,946 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<14M@-10V... |
1 | 4,978 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-CH, -100V, 20A, RD(M... |
1 | 3,579 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N100V, 21A,RD<9.5M@10V,... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,933 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<22M@-10V... |
1 | 3,845 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,790 | 加入询价 |