- 封装/外壳:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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11 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 17A... |
1 | 4,242 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 11A... |
1 | 7,157 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | COMMON-DRAIN NCH... |
1 | 10,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 6.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 6.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 12V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |