- 封装/外壳：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A... |
1 | 2,494 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 850 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 64A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
